文献类型：期刊文章

作　　者：柴常春[1] 席晓文[1] 任兴荣[1] 杨银堂[1] 马振洋[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：11

起止页码：8118-8124

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000284659900095)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000284659900095)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.

关 键 词：双极晶体管 强电磁脉冲  器件损伤  损伤功率  

分 类 号：TN322.8]