文献类型：期刊文章

作　　者：宋建军[1] 张鹤鸣[1] 戴显英[1] 胡辉勇[1] 宣荣喜[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：9

起止页码：5918-5922

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20084211645322)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000259170800091)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000259170800091)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电子有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎不变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化.此外,给出的禁带宽度与x的拟合关系同KP理论计算的结果一致,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

关 键 词：应变硅 能带结构  第一性原理

分 类 号：O471.5]