文献类型：期刊文章

作　　者：张玉明[1] 汤晓燕[1] 张义门[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院、教育部宽禁带半导体重点实验室,陕西西安710071

出　　处：《电力电子技术》

年　　份：2008

卷　　号：42

期　　号：12

起止页码：60-62

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内第一个SiC MPS二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1000A/cm2。研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET。所制备的SiC BCMOSFET可得到最高为90cm2/(V.s)的有效迁移率。分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用。

关 键 词：碳化硅 器件  晶体管 迁移率

分 类 号：TN304.24]