文献类型：期刊文章

作　　者：宋建军[1] 张鹤鸣[1] 戴显英[1] 胡辉勇[1] 宣荣喜[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：11

起止页码：7228-7232

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20085111788737)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000260946500085)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000260946500085)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考.

关 键 词：应变SI K.P理论  色散关系

分 类 号：O471]