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厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院萨本栋微机电研究中心 收藏

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研究主题:微机电系统    MEMS    射频MEMS开关    磁控溅射    牺牲层    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    机械类    能源动力类    

被引量:360H指数:10WOS: 8 EI: 14 北大核心: 45 CSCD: 45

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94 条 记 录,以下是 1-10

ICP刻蚀技术研究
1
《厦门大学学报(自然科学版)》厦门大学机电工程系;厦门大学萨本栋微机电研究中心 郑志霞 冯勇建 张春权  出版年:2004
介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,...
关键词:感应耦合等离子体 干法刻蚀 选择比 微电子机械系统
PECVD法生长氮化硅工艺的研究 ( EI收录)
2
《功能材料》苏州市职业大学电子信息工程系;福州大学物理与电信工程学院;厦门大学萨本栋微机电研究中心 吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓  出版年:2007
国家基金青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反...
关键词:PECVD 氮化硅 聚酰亚胺  残余应力  射频MEMS开关
聚酰亚胺在MEMS中的特性研究及应用
3
《微纳电子技术》厦门大学机电工程系;厦门大学萨本栋微机电研究中心 邓俊泳 冯勇建  出版年:2003
聚酰亚胺具有耐高温、耐腐蚀、绝缘性能好、化学性质稳定等特点,在MEMS工艺中有很广泛的应用前景,适于做牺牲层、绝缘层和平坦层等。在简要介绍聚酰亚胺的基础上,着重介绍聚酰亚胺在MEMS工艺中的特性、工艺流程及应用。
关键词:聚酰亚胺 MEMS 牺牲层 绝缘层 平坦层  工艺流程  高分子材料 微机电系统
基于斩波技术的CMOS运算放大器失调电压的消除设计
4
《半导体技术》厦门大学萨本栋微机电研究中心物理学系 吴孙桃 林凡 郭东辉 李静  出版年:2003
国家自然科学基金项目(No:60076015);福建省自然科学基金项目;福建省高新技术项目
实现传感器系统的高分辨率,要求其内部运算放大器具有低失调电压和低噪声的性能,为此介绍了一种可减少运算放大器的失调电压和低频噪声的斩波技术,并基于该技术进行温度传感器中CMOS运算放大电路失调电压的消除设计,最后通过SPI...
关键词:斩波技术 CMOS 运算放大器 失调电压 消除设计  集成电路
TMAH单晶硅腐蚀特性研究
5
《微纳电子技术》厦门大学机电工程系;厦门大学萨本栋微机电研究中心 邓俊泳 冯勇建  出版年:2003
TMAH是一种具有优良的腐蚀性能的各向异性腐蚀剂,选择性好,无毒且不污染环境,最重要的是TMAH与CMOS工艺相兼容,符合SOC的发展趋势。TMAH正逐渐替代KOH和其他腐蚀液,成为实现MEMS工艺中微三维结构的主要腐蚀...
关键词:四甲基氢氧化氧  TMAH 单晶硅 腐蚀特性  各向异性腐蚀 微机电系统
集成电路版图(layout)设计方法与实例
6
《现代电子技术》厦门大学萨本栋微机电研究中心 程未 冯勇建 杨涵  出版年:2003
首先在理论上介绍了集成电路版图设计方法的详细步骤以及设计规则的特点。并结合一个运算放大器的版图设计实例详细讲解了集成电路版图设计的基本步骤技巧与准则。
关键词:集成电路 版图设计 MOS 面积  设计规则  
激光共焦扫描显微镜在微机电系统中的应用 ( EI收录)
7
《光学精密工程》厦门大学萨本栋微机电研究中心;华侨大学信息科学与工程学院 曾毅波 蒋书森 黄彩虹 张玉龙 张艳  出版年:2008
厦门大学科技创新预研基金资助项目(No.Y07002)
研究了激光共焦扫描显微镜(LSCM)在微结构分析中的应用,综述了该项应用的优势。LSCM的高分辨率和光强调节功能,使其可用于大角度测量;与图像处理系统相结合,便于微结构的定性和定量分析;而全自动样片台沿X轴和Y轴的自动扫...
关键词:激光共焦扫描显微镜 微机电系统 角度测量  形貌分析 图形拼接  
PECVD淀积SiO_2的应用
8
《功能材料与器件学报》厦门大学萨本栋微机电研究中心;天津大学材料学院 吕文龙 罗仲梓 何熙 张春权  出版年:2008
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2...
关键词:PECVD SIO2 AZ5214E  剥离  
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用
9
《传感技术学报》福州大学物理与信息工程学院;厦门大学萨本栋微机电研究中心 于映 吴清鑫 罗仲梓  出版年:2006
国家自然科学基金资助(60301006);福建省科技重点项目资助(2005H029)
氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响....
关键词:氮化硅薄膜 杨氏模量 MEMS 射频开关
PDMS微流控芯片中真空氧等离子体键合方法
10
《微纳电子技术》厦门大学化学系;厦门大学萨本栋微机电研究中心 沈德新 张春权 罗仲梓 周勇亮 张峰 李佳 田昭武  出版年:2003
聚二甲基硅氧烷 (PDMS)由于具有良好的力学性质和光学性质以及生物相容性等特点 ,是极具前景的 μTAS应用材料[1] 。由于固化后的PDMS表面具有一定的粘附力 ,一对成型后的PDMS基片不加任何处理 ,即可借助分子...
关键词:PDMS 微流控芯片 聚二甲基硅氧烷 真空氧等离子体  键合
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