文献类型：期刊文章

作　　者：郑志霞[1] 冯勇建[2] 张春权[2]

机构地区：[1]厦门大学机电工程系,福建厦门361005 [2]厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》

年　　份：2004

卷　　号：43

期　　号：B08

起止页码：365-368

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,可以提高刻蚀速率和选择比,提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比,反应室压强上升到1.2Pa时,刻蚀速率达最大值,刻蚀温度为零度时,Si的刻蚀速率最大,开槽宽度对刻蚀速率影响不大.

关 键 词：感应耦合等离子体 干法刻蚀 选择比 微电子机械系统

分 类 号：TN305.7]