文献类型：期刊文章

作　　者：吴清鑫[1] 陈光红[1] 于映[2] 罗仲梓[3]

机构地区：[1]苏州市职业大学电子信息工程系,江苏苏州215104 [2]福州大学物理与电信工程学院,福建福州350002 [3]厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家基金青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)

年　　份：2007

卷　　号：38

期　　号：5

起止页码：703-705

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。

关 键 词：PECVD 氮化硅 聚酰亚胺  残余应力  射频MEMS开关

分 类 号：TN304]