文献类型：期刊文章

作　　者：于映[1] 吴清鑫[1] 罗仲梓[2]

机构地区：[1]福州大学物理与信息工程学院,福州350002 [2]厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助(60301006);福建省科技重点项目资助(2005H029)

年　　份：2006

卷　　号：19

期　　号：05B

起止页码：1967-1969

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.

关 键 词：氮化硅薄膜 杨氏模量 MEMS 射频开关

分 类 号：O484.1]