期刊文章详细信息
PECVD淀积SiO_2的应用
Applied research on SiO_2 deposited by PECVD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门361005 [2]天津大学材料学院,天津300072
年 份：2008
卷 号：14
期 号：1
起止页码：33-37
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。
关 键 词：PECVD SIO2 AZ5214E 剥离
分 类 号：TN304]
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