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河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所 收藏

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研究主题:CMP    化学机械抛光    抛光液    去除速率    ULSI    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    建筑类    机械类    

被引量:836H指数:12WOS: 13 EI: 44 北大核心: 192 CSCD: 120

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302 条 记 录,以下是 1-10

四探针技术测量薄层电阻的原理及应用
1
《半导体技术》河北工业大学微电子技术研究所 刘新福 孙以材 刘东升  出版年:2004
国家自然科学基金资助课题(69272001);河北省自然科学基金项目(602076);天津市自然科学基金项目(013602011)
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微...
关键词:四探针 薄层电阻 Rymaszewski法  范德堡法  
一维光子晶体的光学传输特性分析 ( EI收录)
2
《光子学报》军械工程学院光学与电子工程系;河北工业大学微电子研究所 段晓峰 牛燕雄 张雏 张存善  出版年:2003
采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的...
关键词:一维光子晶体 光学传输特性 等效F-P腔方法  周期数  光子禁带 光子局域  缺陷态
ULSI硅衬底的化学机械抛光 ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》河北工业大学微电子技术与材料研究所;天津理工学院光电信息系 张楷亮 刘玉岭 王芳 李志国 韩党辉  出版年:2004
国家科技型中小企业技术创新基金 (编号 :0 0 C2 62 112 0 0 92 5 );天津市科技攻关 (编号 :0 13 180 3 11)资助项目~~
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的...
关键词:硅衬底 化学机械抛光(CMP)  ULSI 纳米研磨料  动力学过程
酸酐固化环氧树脂-有机蒙脱土纳米复合材料的制备及性能研究 ( EI收录)
4
《复合材料学报》河北工业大学微电子技术与材料研究所;河北工业大学高分子科学与工程研究所;天津理工学院光电信息系 张楷亮 王立新 王芳 任丽  出版年:2004
河北省自然科学基金项目(599027)
 以甲基四氢酸酐为固化剂,对含羟基长链烷基季铵盐改性蒙脱土-环氧树脂纳米复合材料的制备进行了研究。通过TEM、SEM、TGA和DMA等对其微观结构、热性能和动态力学性能等进行表征和分析。TEM结果表明:有机蒙脱土以纳米片...
关键词:环氧树脂 蒙脱土 纳米复合材料 甲基四氢酸酐  动态力学  
蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究
5
《微纳电子技术》河北工业大学微电子研究所 赵之雯 牛新环 檀柏梅 袁育杰 刘玉岭  出版年:2006
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨...
关键词:蓝宝石 化学机械抛光 影响因素 表面状态  
适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液 ( EI收录)
6
《Journal of Semiconductors》河北工业大学微电子研究所 王弘英 刘玉岭 张德臣  出版年:2002
天津市自然科学基金资助项目 (编号 :0 13 60 5 911)~~
采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料 ,解决了抛光液的悬浮问题 ,得到了很好的抛光表面 .采用无金属离子的有机碱作络合剂及 p H调制剂 ,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝...
关键词:ULSI 化学机械抛光 抛光液 集成电路
蓝宝石衬底片的抛光研究
7
《电子工艺技术》河北工业大学微电子研究所 王娟 檀柏梅 赵之雯 李薇薇 周建伟  出版年:2005
本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0。并且在抛光时应加入...
关键词:蓝宝石 抛光 机理  硅溶胶
硅单晶片研磨液的研究 ( EI收录)
8
《稀有金属》河北工业大学微电子研究所 刘玉岭 檀柏梅 孙光英 蒋建国  出版年:2001
论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况 ,通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮、金属离子的去除及表面颗粒吸附问题 ,并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析。
关键词:研磨液 悬浮  金属离子 颗粒吸附  表面活性剂 单晶硅
新型碱性阻挡层抛光液在300mm铜布线平坦化中的应用 ( EI收录)
9
《功能材料》河北工业大学微电子研究所 魏文浩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 郑伟艳 尹康达  出版年:2012
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层...
关键词:碱性阻挡层抛光液  去除速率 选择性 碟形坑  蚀坑  
pH值调节剂对Si片CMP速率的影响
10
《微纳电子技术》河北工业大学微电子研究所 杨金波 刘玉岭 刘效岩 胡轶 孙鸣  出版年:2010
通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/mi...
关键词:有机碱 KOH 硅片  溶解度 抛光速率
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