文献类型：期刊文章

作　　者：魏文浩[1] 刘玉岭[1] 王辰伟[1] 牛新环[1] 郑伟艳[1] 尹康达[1]

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)

年　　份：2012

卷　　号：43

期　　号：23

起止页码：3333-3335

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20130615996779)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑(dishing)和蚀坑(erosion)具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。

关 键 词：碱性阻挡层抛光液  去除速率 选择性 碟形坑  蚀坑  

分 类 号：TN305.2]