文献类型：期刊文章

作　　者：杨金波[1] 刘玉岭[1] 刘效岩[1] 胡轶[1] 孙鸣[1]

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2010

卷　　号：47

期　　号：10

起止页码：643-646

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大。无论使用何种pH值调节剂,pH值为10～11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能够稳定在43nm左右。随着pH值的升高,Si片与抛光液的反应越来越强烈,其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大。pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成速率和去除速率,并最终影响Si片化学机械抛光的效果。

关 键 词：有机碱 KOH 硅片  溶解度 抛光速率

分 类 号：TN305.2]