文献类型：期刊文章

作　　者：王弘英[1] 刘玉岭[1] 张德臣[1]

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：天津市自然科学基金资助项目 (编号 :0 13 60 5 911)~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：217-221

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料 ,解决了抛光液的悬浮问题 ,得到了很好的抛光表面 .采用无金属离子的有机碱作络合剂及 p H调制剂 ,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝胶问题 .从而得到一种适用于甚大规模集成电路 (U L SI)制备中铜互连线技术的化学机械抛光(CMP)

关 键 词：铜 ULSI 化学机械抛光 抛光液 集成电路

分 类 号：TN405]