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蓝宝石衬底片的抛光研究
Study of Process Parameters and Mechanism of Computer Hard Diskin CMP
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130
年 份：2005
卷 号：26
期 号：4
起止页码：228-231
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0。并且在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除可以应用在蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。
关 键 词：蓝宝石 抛光 机理 硅溶胶
分 类 号：TN30]
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