文献类型：期刊文章

作　　者：刘新福[1] 孙以材[1] 刘东升[1]

机构地区：[1]河北工业大学微电子技术研究所,天津300130

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助课题(69272001);河北省自然科学基金项目(602076);天津市自然科学基金项目(013602011)

年　　份：2004

卷　　号：29

期　　号：7

起止页码：48-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。

关 键 词：四探针 薄层电阻 Rymaszewski法  范德堡法  

分 类 号：TN304.07]