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西安理工大学理学院应用物理系 收藏

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研究主题:光电导开关    GAAS    超弱光子辐射    砷化镓    GAAS光电导开关    

研究学科:电子信息类    生物科学类    机械类    自动化类    电气类    

被引量:716H指数:15WOS: 58 EI: 98 北大核心: 130 CSCD: 127

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201 条 记 录,以下是 1-10

用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究 ( EI收录)
1
《Journal of Semiconductors》西安理工大学应用物理系;美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系 施卫 张显斌 贾婉丽 李孟霞 许景周 张希成  出版年:2004
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :10 3 90 160 ;10 3 760 2 5 )~~
报道了用半绝缘 Ga As材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射 THz电磁波的实验结果 .Ga As光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为 3m m,采用 Si3N4 薄膜绝缘保护 ,在 5 4 0 V直流偏...
关键词:GaAs光电导偶极天线  太赫兹电磁波  皮秒电脉冲  
遥感地质信息提取集成与矿物遥感地质分析模型 ( EI收录)
2
《遥感学报》北京大学遥感与地理信息系统研究所;中国国土资源航空物探遥感中心;西安理工大学应用物理系 甘甫平 王润生 马蔼乃 张宗贵 李孟霞  出版年:2003
国家 8 63 10 3( 2 0 0 1AA1360 2 0 4);国家自然科学基金 ( 40 2 0 10 34 );国土资源部"十五"重点科研项目 ( 2 0 0 2 2 0 6);中国地质调查局重点科研项目 (DK990 2 0 62 )资助
结合遥感技术的现状、发展趋势和资源环境应用需求 ,从遥感地质应用出发 ,提出多源遥感数据分层识别集成、基于岩矿识别技术体系集成和基于岩矿识别谱系集成的基本思路与框架 ,强调矿物或矿物集合体在遥感地质分类与识别中的重要性 ...
关键词:遥感地质信息提取  矿物分析模型  高光谱遥感 岩矿识别技术  地质环境 矿化信息
太赫兹辐射产生技术进展
3
《激光与光电子学进展》西安理工大学应用物理系;中国船舶重工集团公司第七一三研究所 马成举 陈延伟 向军 张显斌  出版年:2007
陕西省自然科学基金项目(2005A03)
分别就光学技术和电子学技术产生太赫兹波的方法,介绍其产生原理、研发现状和最新进展,重点介绍了光电导、光整流、参量振荡器和太赫兹量子级联激光器。
关键词:太赫兹 光电导  光整流  参量振荡器 太赫兹量子级联激光器
高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究 ( EI收录)
4
《物理学报》西安理工大学应用物理系;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室 施卫 赵卫 张显斌 李恩玲  出版年:2002
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17)~~
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流...
关键词:半导体光电导开关  lock-on效应高功率超快电脉冲  GAAS 砷化镓
半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 ( EI收录)
5
《Journal of Semiconductors》西安理工大学应用物理系 施卫 田立强  出版年:2004
国家自然科学基金资助项目(批准号 :5 0 0 770 17;10 3 760 2 5 /A0 6)~~
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认...
关键词:砷化镓 光电导开关 击穿机理
高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 ( EI收录)
6
《Journal of Semiconductors》西安理工大学应用物理系;西安交通大学电气工程学院 施卫 梁振宪  出版年:1999
国家自然科学基金
本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增GaAs光电导开关中的光激发畴现象.分析了畴的产生与辐射发光在Lock-on效应中的作用.指出正是光激发畴的性质与行为决定了GaAs光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性.
关键词:砷化镓 光电导开关 半导体光电器件 光激发畴  
一种纳米硅薄膜的传导机制 ( EI收录)
7
《物理学报》南京大学固体微结构物理国家重点实验室;西安理工大学物理系;北京联合大学电子自动化工程学院 何宇亮 余明斌 胡根友 张蔷  出版年:1997
国家自然科学基金
基于对实验和理论的分析,提出一种异质结量子点隧穿(HQD)模型,并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式.其主要思想是,纳米硅薄膜中的微晶粒(几个纳米大小)具有量子点特征,在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒,这...
关键词:HQD模型  纳米硅 薄膜  传导机制  
压力传感器的研究现状与发展趋势
8
《半导体技术》西安理工大学应用物理系器件教研室 吕惠民 田敬民  出版年:1998
论述了压力传感器的研究现状和发展趋势。列举出大量数据及有关参数,为从事压力传感器研究的科技工作者提供一些参考。
关键词:压力传感器 线性度 测量  
高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析 ( EI收录)
9
《电子学报》西安理工大学应用物理系;西安交通大学电气工程学院 施卫 梁振宪  出版年:2000
国家自然科学基金!(No .5940 70 0 6);陕西省教委专项科学基金!(No .99JK1 98)
首次提出“发光畴”模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释 .其要点是 :光注入载流子引起开关电场畸变 ,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴 ,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增 ,相...
关键词:光电导开关 砷化镓 瞬态特性
超声喷雾法制备SnO_2:F薄膜及其性能研究
10
《西安理工大学学报》西安理工大学理学院应用物理系自动化与信息工程学院 施卫 李琦  出版年:1998
用超声喷雾热解淀积技术制备了SnO2F透明导电薄膜,其电阻率达4×10-4Ωcm,可见光透过率达91%。研究了衬底温度、F/Sn比例对SnO2F薄膜光电特性的影响。XRD分析及SEM观察表明,SnO2F薄膜为多晶结构,平...
关键词:薄膜  超声雾化 热解淀积  二氧化锡
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