文献类型：期刊文章

作　　者：施卫[1] 张显斌[1] 贾婉丽[1] 李孟霞[1] 许景周[2] 张希成[2]

机构地区：[1]西安理工大学应用物理系,西安710048 [2]美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :10 3 90 160 ;10 3 760 2 5 )~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：12

起止页码：1735-1738

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005088854059)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了用半绝缘 Ga As材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射 THz电磁波的实验结果 .Ga As光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为 3m m,采用 Si3N4 薄膜绝缘保护 ,在 5 4 0 V直流偏置下被波长80 0 nm,脉宽 14 fs,重复频率 75 MHz,平均功率 130 m W的飞秒激光脉冲触发时产生 THz电磁波 .用电光取样测量得到了 THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布 .THz电磁波的辐射峰值位于 0 .5 THz左右 ,频谱宽度大于 2 THz,脉冲宽度约为 1ps.

关 键 词：GaAs光电导偶极天线  太赫兹电磁波  皮秒电脉冲  

分 类 号：TN304.23]