文献类型：期刊文章

作　　者：施卫[1,2] 梁振宪[1,2]

机构地区：[1]西安理工大学应用物理系 [2]西安交通大学电气工程学院,西安710049

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金!(No .5940 70 0 6);陕西省教委专项科学基金!(No .99JK1 98)

年　　份：2000

卷　　号：28

期　　号：2

起止页码：20-23

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：首次提出“发光畴”模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释 .其要点是 :光注入载流子引起开关电场畸变 ,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴 ,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增 ,相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲 ,畴的运动与发光使载流子以 10 8cm/s的速度穿越电极间隙 ,畴生存条件决定Lock on电场 ,当外电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时 。

关 键 词：光电导开关 砷化镓 瞬态特性

分 类 号：TN201] TN36