文献类型：期刊文章

作　　者：施卫[1] 田立强[1]

机构地区：[1]西安理工大学应用物理系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号 :5 0 0 770 17;10 3 760 2 5 /A0 6)~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：6

起止页码：691-696

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004478470146)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 。

关 键 词：砷化镓 光电导开关 击穿机理

分 类 号：TN364]