文献类型：期刊文章

作　　者：施卫[1] 赵卫[2] 张显斌[1] 李恩玲[1]

机构地区：[1]西安理工大学应用物理系,西安710048 [2]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安710068

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17)~~

年　　份：2002

卷　　号：51

期　　号：4

起止页码：867-872

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000174952500031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。

关 键 词：半导体光电导开关  lock-on效应高功率超快电脉冲  GAAS 砷化镓

分 类 号：TN36]