文献类型：期刊文章

作　　者：何宇亮[1] 余明斌[2] 胡根友[3] 张蔷[3]

机构地区：[1]南京大学固体微结构物理国家重点实验室 [2]西安理工大学物理系 [3]北京联合大学电子自动化工程学院

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1997

卷　　号：46

期　　号：8

起止页码：1636-1644

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒，这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型（ＧＢＴ）．考虑到量子点中的单电子隧穿特征，认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的．这就是ＨＱＤ模型的主要内容。

关 键 词：HQD模型  纳米硅 薄膜  传导机制  

分 类 号：O484.4]