期刊文章详细信息
高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 ( EI收录)
Optically Activated Charge Domain Phenomena in High Gain Ultra Fast High Voltage GaAs Photoconductive Switches
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西安理工大学应用物理系 [2]西安交通大学电气工程学院
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：国家自然科学基金
年 份：1999
卷 号：20
期 号：1
起止页码：53-57
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1999414768171)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．
关 键 词：砷化镓 光电导开关 半导体光电器件 光激发畴
分 类 号：TN36]
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