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中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 收藏

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研究主题:化学吸附    原子层沉积    晶圆    等离子体    氮化碳薄膜    

研究学科:电子信息类    自动化类    

被引量:13H指数:2WOS: 1 EI: 1 北大核心: 4 CSCD: 3

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61 条 记 录,以下是 1-10

图形化蓝宝石衬底工艺研究进展
1
《半导体技术》中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 黄成强 夏洋 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥  出版年:2012
国家自然科学基金资助项目(60727003)
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝...
关键词:图形化蓝宝石衬底  发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀
等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜 ( EI收录)
2
《物理学报》山东科技大学材料科学与工程学院;中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 汤文辉 刘邦武 张柏诚 李敏 夏洋  出版年:2017
浙江省科研院所扶持专项(批准号:2016F50009)资助的课题~~
采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子...
关键词:等离子增强原子层沉积  氮化镓 低温沉积  
一种激光偏振控制模块
3
[实用新型] 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20160818陈鲁 刘虹遥 张朝前 杨乐 马砚忠 路鑫超  出版年:2017
本实用新型属于激光技术领域,公开了一种激光偏振控制模块,包括:偏振棱镜,接收所述激光,并将激光转换成线偏振光;半波片,通过电动旋转镜架实现半波片指定角度旋转,用于改变线偏振光的偏振方向;第一1/4波片,电动平移台控制第一...
一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
4
[发明专利] 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20141219张庆钊  出版年:2015
本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备,包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件,所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部,所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部,所述衬底设置在所...
原子层沉积ALD技术的材料表面防护应用
5
2014中国功能材料科技与产业高层论坛 2014贾毅  出版年:2014
本文以Al2O3和TiO2为基础材料,对比了原子层沉积单一材料层和Al2O3/TiO2,叠层等不同工艺条件下镀膜对阳极氧化铝衬底的封孔效果和抗腐蚀性能影响。SEM及染色实验表明原子层沉积工艺能够有效的进行阳极氧化铝材料的...
关键词:原子层沉积 材料表面  ALD
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法
6
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20101126刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉  出版年:2011
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附;所述的重氮甲烷与...
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
7
[实用新型] 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20110920黄成强 汪明刚 陈波 李超波  出版年:2012
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工...
原子层沉积的阳极氧化铝封孔抗腐蚀应用研究
8
2014中国功能材料科技与产业高层论坛 2014贾毅 杨忙 卢维尔 计峰 李超波 方攸同 夏洋  出版年:2014
本文以Al2O3和TiO2为基础材料,对比了原子层沉积单一材料层和Al2O3/TiO2叠层等不同工艺条件下镀膜对阳极氧化铝衬底的封孔效果和抗腐蚀性能影响.SEM及染色实验表明原子层沉积工艺能够有效的进行阳极氧化铝材料的孔...
关键词:原子层沉积 AL2O3 TIO2 封孔 抗腐蚀
一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法
9
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20101126刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉  出版年:2011
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体,所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸...
一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法
10
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 20101126刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉  出版年:2011
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法,包括如下步骤:在原子层沉积腔室中,通入气相前驱体,形成一种具有未成键电子的物质,与衬底表面原子形成共价键,实现化学吸附;通入与衬底表面发生取代反应...
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