文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010561021.2

申 请 日：20101126

发 明 人：刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉

申 请 人：中国科学院微电子研究所 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20110706

公 开 号：CN102115878A

代 理 人：王建国

代理机构：北京市德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长，且制得的氮化碳薄膜结构完整。

主 权 项：1.一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。

关 键 词：氮化碳薄膜 重氮甲烷 原子层沉积设备  氨气  硅衬底表面  制备方法  反应腔  胺化  单晶 碘键  原子层沉积技术  反应停止  化学吸附 制备单晶  制备技术  氮化碳 硅衬底 单质  沉积  能耗  生长  

IPC专利分类号：C23C16/36(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/38(20060101)