文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410797353.9

申 请 日：20141219

发 明 人：张庆钊

申 请 人：中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心

申请人地址：314000 浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号

公 开 日：20150408

公 开 号：CN104505326A

代 理 人：刘杰

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分。

主 权 项：1.一种应用于等离子体设备的腔室结构，其特征在于，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。

关 键 词：等离子体 腔体  等离子体设备  聚焦结构  等离子 电极  耦合窗 石英 衬底  上部  流体分布  腔室结构  射频线圈 磁性件  下部  等离子设备  中空结构  磁场  连接  内部  

IPC专利分类号：H01J37/32(20060101);H01L21/00(20060101);H01L21/3065(20060101)