文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010560898.X

申 请 日：20101126

发 明 人：刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉

申 请 人：中国科学院微电子研究所 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20110413

公 开 号：CN102011103A

代 理 人：王建国

代理机构：北京市德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp<Sup>3</Sup>杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用，实现结构上的一致性、单晶性。

主 权 项：1.一种用于原子层沉积制备氮化碳薄膜的化学吸附方法，其特征在于，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp³杂化的氮碳单键结构。

关 键 词：氮化碳薄膜 衬底表面  原子层沉积技术  原子形成共价键  化学吸附方法  原子层沉积 化学吸附 取代反应  制备技术  氮化碳 前驱体  成键  单键 单晶  氮碳  气相  腔室  

IPC专利分类号：C23C16/36(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/38(20060101)