文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010560899.4

申 请 日：20101126

发 明 人：刘键 饶志鹏 夏洋 石莎莉

申 请 人：中国科学院微电子研究所 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20110316

公 开 号：CN101985744A

代 理 人：王建国

代理机构：北京市德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；所述吸附在硅衬底上的碳原子与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；再通入第三反应前驱体与所述卤代反应的产物进行胺化反应，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。

主 权 项：1.一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；所述吸附在硅衬底上的碳原子与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；再通入第三反应前驱体与所述卤代反应的产物进行胺化反应，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。

关 键 词：氮化碳薄膜 反应前驱体  碳源气体  硅衬底 单晶 原子层沉积设备  硅衬底表面  制备方法  反应腔  吸附  原子层沉积技术  反应的产物  衬底表面  化学吸附 完全消耗  制备技术  氮化碳 胺化 能耗  

IPC专利分类号：C23C16/36(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/38(20060101)