文献类型：期刊文章

作　　者：汤文辉[1,2,3] 刘邦武[2] 张柏诚[3] 李敏[1] 夏洋[2,3]

机构地区：[1]山东科技大学材料科学与工程学院,青岛266000 [2]中国科学院微电子研究所,微电子设备技术研究室,北京100029 [3]中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心,嘉兴314006

出　　处：《物理学报》

基　　金：浙江省科研院所扶持专项(批准号:2016F50009)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：9

起止页码：300-305

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI(收录号：20172603813429)、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000403077300036)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长Ga N的温度窗口为210—270?C,薄膜在较高生长温度下呈多晶态,在较低温度下呈非晶态;薄膜中N元素与大部分Ga元素结合成N—Ga键生成Ga N,有少量的Ga元素以Ga—O键存在,多晶Ga N薄膜含有少量非晶态Ga_2O_3.

关 键 词：等离子增强原子层沉积  氮化镓 低温沉积  

分 类 号：O484]