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山西飞虹微纳米光电科技有限公司 收藏

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研究主题:外延片    多量子阱    衬底    金属有机化学气相沉积    超晶格    

研究学科:电子信息类    

被引量:2H指数:1EI: 1 北大核心: 1 CSCD: 1

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51 条 记 录,以下是 1-10

非故意掺杂GaN层厚度对蓝光LED波长均匀性的影响 ( EI收录)
1
《发光学报》太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室;太原理工大学材料科学与工程学院;山西飞虹微纳米光电科技有限公司 李天保 赵广洲 卢太平 朱亚丹 周小润 董海亮 尚林 贾伟 余春燕 许并社  出版年:2017
国家自然科学基金(51672185;61504090)资助项目~~
通过调整非故意掺杂氮化镓层的厚度,分析氮化镓基LED外延生长过程中应力的演变行为,以控制外延片表面的翘曲程度,从而获得高均匀性与一致性的外延片。由于衬底与外延层之间的热膨胀系数差别较大,在生长温度不断变化的过程中,外延片...
关键词:MOCVD 氮化镓 应力 LED  
砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器
2
[实用新型] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20170921米洪龙 关永莉 陈宇星 王琳  出版年:2018
本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器,属于半导体激光器领域;砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜;阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体,再由混合等离子体NH+经过...
一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法
3
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20140626马淑芳 田海军 韩蕊蕊 李天保 吴小强 杨杰  出版年:2014
本发明提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法,涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层,n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变...
U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管
4
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20191225杨鑫 关永莉 米洪龙 吴小强 杨杰 申江涛 陕志芳 樊明明  出版年:2020
本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管,属于半导体生产领域。包括:S1,采用GaN材料在衬底上纵向生长,得到初始U型GaN层;S2,在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡,得到U型...
一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管
5
[实用新型] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20140626马淑芳 田海军 韩蕊蕊 李天保 吴小强 杨杰  出版年:2015
本实用新型提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管,涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层,n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层,复合...
经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED
6
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20200331关永莉 米洪龙 徐小红 段少清 杨鑫 周王康 陕志芳 樊明明  出版年:2020
本发明提供了一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED,属于显示设备领域。本发明通过对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理,使得相对仅对表面进行粗化处理的方式,粗化后LED芯片的亮度提高了1~1.5倍...
一种聚酰亚胺电子封装材料及其合成方法
7
[发明专利] 太原理工大学;山西飞虹微纳米光电科技有限公司;山西光宇半导体照明有限公司 20101121许并社 魏丽乔 刘波 梁建 王智勇 史元魁 许富贵 张保平  出版年:2011
一种聚酰亚胺电子封装材料及其合成方法。其方法首先是将2,3,3’,4’-联苯四酸二酐与2,2’-双(三氟甲基)-4,4’-二胺基二苯基硫等摩尔配比溶于非质子极性溶剂中,在10℃~20℃下反应制备聚酰胺酸;其次是将制备好的...
一种半导体激光bar条及其制备方法
8
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20170921关永莉 米洪龙 梁健 李小兵 王琳 董海亮  出版年:2017
本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法,方法包括:制作GaAs外延片;在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区,并露出部分所述P‑GaAs限制层;制作出光隔离区;形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及...
具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构
9
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 20120118许并社 梁建 马淑芳 李天保 刘旭光  出版年:2015
本发明涉及发光二极管组件,具体是一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构。本发明解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题。具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯...
一种减少键合空洞的图形化方法
10
[发明专利] 山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学 20130929许并社 关永莉 徐小红 李天保 马淑芳 韩蕊蕊 贾虎生  出版年:2014
本发明涉及半导体器件制造技术,具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法,该方法是采用如下步骤实现的:(1)选取GaAs衬底;在GaAs...
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