文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202010241001.0

申 请 日：20200331

发 明 人：关永莉 米洪龙 徐小红 段少清 杨鑫 周王康 陕志芳 樊明明

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村

公 开 日：20200717

公 开 号：CN111430512A

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED，属于显示设备领域。本发明通过对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，使得相对仅对表面进行粗化处理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍；通过三种刻蚀液依次对LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，不仅能够在LED芯片的侧壁和表面形成非周期性的无规则图形，从而可以提高LED产品的亮度，而且使得粗化处理后LED芯片的表面呈中性，从而能够提高封装后产品的使用寿命。

主 权 项：1.一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，制备AlGaAs基LED的外延片；S2，在外延片的基础上制备AlGaAs基LED的电极；S3，对外延片和电极进行全切工艺，形成LED芯片；S4，对LED芯片进行倒膜和扩膜处理；S5，对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面通过如下步骤进行粗化处理：S51，通过第一刻蚀液对LED芯片的侧壁和表面进行刻蚀，刻蚀温度为15±2℃，刻蚀8～20s后冲水10min；第一刻蚀液的成分及配比为HNO₃：CH₃COOH：H₂O＝1～3:1:1；S52，通过第二刻蚀液对S51处理后的LED芯片继续进行刻蚀，刻蚀温度为常温，刻蚀10～20s后冲水10min；第二刻蚀液的成分及配比为NaOH：H₂O＝50～80g：1000ml；S53，通过第三刻蚀液对S52处理后的LED芯片继续进行刻蚀，刻蚀温度为常温，刻蚀200～220s后冲水10min，并通过氮气吹干LED芯片；第三刻蚀液的成分及配比为H₃PO₄：H₂O＝1～2.5:100。

关 键 词：粗化处理  侧壁  粗化 表面形成  非周期性  使用寿命  显示设备 刻蚀液 膜处理 无规则  制备  封装  

IPC专利分类号：H01L33/00(20100101);H01L21/306(20060101);H01L33/22(20100101)