文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710857921.3

申 请 日：20170921

发 明 人：关永莉 米洪龙 梁健 李小兵 王琳 董海亮

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041600 山西省临汾市甘亭工业园区山西飞虹科技集团有限公司

公 开 日：20171215

公 开 号：CN107482471A

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层，并对所述电流限制层进行刻蚀，以露出所述脊型电流注入区；在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层，并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区；在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。

主 权 项：1.一种半导体激光bar条，其特征在于，包括：GaAs外延片，其中，所述GaAs外延片从上往下依次为：P-GaAs欧姆接触层、P-GaAs限制层、P-GaAs波导层、量子阱、N-GaAs波导层、N-GaAs限制层和GaAs衬底；所述P-GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分所述P-GaAs限制层未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住；所述GaAs外延片上刻蚀有光隔离区，所述光隔离区为从所述P-GaAs限制层未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住的部分开始刻蚀，直到将所述P-GaAs限制层、P-GaAs波导层、量子阱、N-GaAs波导层刻穿所对应的被刻蚀掉的区域；在所述P-GaAs欧姆接触层以及未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住的部分所述P-GaAs限制层上方形成有电流限制层，其中，所述电流限制层被刻蚀掉一部分以露出所述脊型电流注入区；所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，所述P面金属电极层上设置有电隔离区；所述GaAs衬底远离所述N-GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。

关 键 词：电流限制层  电流注入区  金属电极层  限制层  脊型  半导体激光 刻蚀 电隔离区  非注入区  隔离区 外延片 衬底  制备  覆盖  制作  

IPC专利分类号：H01S5/024(20060101);H01S5/022(20060101)