文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201911357262.2

申 请 日：20191225

发 明 人：杨鑫 关永莉 米洪龙 吴小强 杨杰 申江涛 陕志芳 樊明明

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041609 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村

公 开 日：20200428

公 开 号：CN111081535A

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的U型GaN层的表面缺陷大大减少，因而提高了产品良率。

主 权 项：1.一种U型GaN层的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，控制MOCVD设备的温度为1005-1035℃、转速为700r/min、压力为500torr，以3.8-4.2μm/h的速度采用GaN材料在衬底上纵向生长12-18min，得到初始U型GaN层；S2，控制MOCVD设备的温度为1030-1065℃、转速为1000r/min、压力为300torr，以4.275-4.775μm/h的速度在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡2-8min，得到U型GaN过渡层；S3，控制MOCVD设备的温度为1085-1115℃、转速为1200r/min、压力为200torr，以5.9-6.1μm/h的速度在U型GaN过渡层上横向生长2-8min；S4，控制MOCVD设备的温度为1085-1115℃、转速为1200r/min、压力为200torr，以5.9-6.1μm/h的速度在S3得到的U型GaN层上继续横向生长2-8min，使生长得到的U型GaN层的表面平整。

关 键 词：横向生长  纵向生长  过渡层 生长  半导体晶体管  内量子效率 表面平整  表面缺陷  产品良率  生长过程  衬底 位错 半导体

IPC专利分类号：H01L21/205(20060101);H01L29/20(20060101)