文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410299246.3

申 请 日：20140626

发 明 人：马淑芳 田海军 韩蕊蕊 李天保 吴小强 杨杰

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区

公 开 日：20141022

公 开 号：CN104112800A

代 理 人：董芙蓉

代理机构：11385 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n-InAlP限制层，(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P/(Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>)<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P有源层，p-InAlP限制层，p-(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P过渡层，p-GaP窗口层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明的优点是：采用复合DBR来减少衬底对有源区下面的光的吸收，既能反射小角度入射光又能反射大角度入射光，进而提高发光二极管器件的亮度。该发光二级管的制备工艺简单、易于实施，便于推广应用。

主 权 项：1.一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的结构为：在n-GaAs衬底上由下至上外延生长有n-GaAs缓冲层，n-Al_xGa_1-xAs渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n-InAlP限制层，(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P/(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P有源层，p-InAlP限制层，p-(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P过渡层，p-GaP窗口层，p面电极；其中，所述复合式布拉格反射器的结构由上下两个部分组成，两部分的材料相同，结构不同。

关 键 词：衬底  发光二极管 角度入射光  外延生长  制备方法  有源  金属有机化学气相沉积 发光二极管器件  复合  发光二级管 外延技术  制备工艺  窗口层  反射器 复合式  过渡层  缓冲层  

IPC专利分类号：H01L33/10(20100101)