文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210014723.8

申 请 日：20120118

发 明 人：许并社 梁建 马淑芳 李天保 刘旭光

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：031600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村

公 开 日：20150128

公 开 号：CN102723411B

代 理 人：朱源

代理机构：14100 太原科卫专利事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及发光二极管组件，具体是一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构。本发明解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题。具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构包括蓝宝石基板、N型氮化镓外延层、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层、P型氮化镓外延层、负电极金属层、以及正电极金属层；还包括铟锡氧化物透明导电层和镍纳米粒子层；其中，N型氮化镓外延层堆栈于蓝宝石基板上。本发明基于全新的结构，有效解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题，适用于发光二极管的制造。

主 权 项：1.一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，包括蓝宝石基板（1）、N型氮化镓外延层（2）、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）、P型氮化镓外延层（4）、负电极金属层（7）、以及正电极金属层（8）；其特征在于：还包括铟锡氧化物透明导电层（5）和镍纳米粒子层（6）；其中，N型氮化镓外延层（2）堆栈于蓝宝石基板（1）上；多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）堆栈于N型氮化镓外延层（2）上，且N型氮化镓外延层（2）部分曝露于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）外；P型氮化镓外延层（4）堆栈于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）上；铟锡氧化物透明导电层（5）堆栈于P型氮化镓外延层（4）上；镍纳米粒子层（6）溅镀于铟锡氧化物透明导电层（5）上；负电极金属层（7）堆栈于N型氮化镓外延层（2）的曝露部分上；正电极金属层（8）堆栈于P型氮化镓外延层（4）上，且正电极金属层（8）与铟锡氧化物透明导电层（5）连接。

关 键 词：发光二极管  氮化镓外延  铟锡氧化物 蓝宝石基板  氮化镓系  效率降低  芯片结构 发光二极管组件  负电极金属  透明导电层  氮化铟镓 电极金属  纳米粒子  氮化镓 量子阱  堆栈  

IPC专利分类号：H01L33/02(20100101)