文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201721223021.5

申 请 日：20170921

发 明 人：米洪龙 关永莉 陈宇星 王琳

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041600 山西省临汾市甘亭工业园区山西飞虹科技集团有限公司

公 开 日：20180831

公 开 号：CN207801155U

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。

主 权 项：1.一种砷化镓激光器腔面，其特征在于，所述砷化镓激光器腔面包括自下而上依次设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；所述阻挡层是由等离子体Ar+轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+与腔面本体的表层发生化学反应形成的；所述钝化膜的厚度为5-15nm。

关 键 词：腔面 砷化镓激光器 钝化膜  等离子体  混合等离子体  化学反应  本实用新型  电场加速  反射膜  轰击腔  离子源  阻挡层  氮气  半导体激光器  氢气混合气体  高真空条件  工作稳定性  氩气  镀膜工艺 延长寿命  高功率  镀制  保证  

IPC专利分类号：H01S5/343(20060101)