文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310453690.1

申 请 日：20130929

发 明 人：许并社 关永莉 徐小红 李天保 马淑芳 韩蕊蕊 贾虎生

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司 太原理工大学

申请人地址：041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村

公 开 日：20140108

公 开 号：CN103500708A

代 理 人：朱源

代理机构：太原科卫专利事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。本发明适用于半导体器件的制造。

主 权 项：1.一种减少键合空洞的图形化方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。

关 键 词：键合 欧姆接触 衬底  半导体器件  图形化方法  空洞  材料键合  电流扩散  反射层  基板  化学腐蚀法  量子阱层  生长量子  光刻法 热应力 生长  晶片

IPC专利分类号：H01L21/3205(20060101)