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河北大学通信与电子工程系 收藏

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研究主题:半导体    半导体器件    双极晶体管    金刚石    硅双极晶体管    

研究学科:电子信息类    自动化类    

被引量:15H指数:2WOS: 2 EI: 2 北大核心: 17 CSCD: 13

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18 条 记 录,以下是 1-10

用于集散控制系统的网络通信程序设计
1
《微计算机信息》保定河北大学电子与信息工程系 郭宝增  出版年:1997
本文介绍了一个实用的集散控制系统的网络通信程序的设计原理。网络标准为以太网,采用TCP/TP协议的TCP居上的套接口函数编写网络程序,实现了控制主机与操作员站间的实时通信。
关键词:集散控制系统 计算机网络 网络通信
超大规模集成电路激光束加工技术的新进展
2
《激光与红外》河北大学电子系 宋登元  出版年:1992
本文给出了近十年来各种波长的激光在超大规模集成电路(VLSI)的精细化加工中的应用领域,重点介绍了激光在VLSI制备中应用的新进展。包括激光金属平坦化,激光载带自动键合,激光多层布线和多芯片互连以及激光掩膜版和芯片图形缺...
关键词:激光束 集成电路 ULSI 工艺  
半导体金刚石与器件
3
《半导体技术》河北大学电子系 宋登元  出版年:1992
本文介绍了半导体金刚石材料的结构、光电特性及其器件的特点,总结了与器件制备相关工艺的发展和这种器件的研制历史与现状,同时还指出了金刚石器件走向实用化所需克服的困难。
关键词:半导体 金刚石 器件  结构  光电特性
Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟
4
《固体电子学研究与进展》河北大学电子系 郭宝增  出版年:1992
报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10^(17)cm^(-3),...
关键词:异质结 数字模拟  双极晶体管
硅双极晶体管的低温h_(FE) ( EI收录)
5
《Journal of Semiconductors》中国科学院半导体研究所;河北大学电子系 林兆军 薄仕群  出版年:1997
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M.影响γ的是禁带收缩和基区费米能级.M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应,以上观点与实验结果基本相符合。
关键词:双极晶体管 低温hFE  发射效率  集电区倍增因子  
金刚石薄膜的淀积技术及其应用
6
《物理》河北大学电子系 宋登元  出版年:1993
低温低压下化学气相淀积(CVD)金刚石薄膜的技术是人工合成金刚石材料领域的重大进展.该技术能在各种衬底上制备出单晶或多晶金刚石薄膜.金刚石薄膜的淀积技术已受到了世界各国科学家的高度重视.本文简要地叙述了金刚石材料的特性及...
关键词:金刚石 薄膜  化学汽相沉积 沉积  
电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响 ( EI收录)
7
《Journal of Semiconductors》河北大学电子系;天津市技术物理研究所 翟冬青 李彦波 李浩  出版年:1992
本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10^(14)cm^(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨...
关键词:双极晶体管 电子辐照
有机半导体材料与器件应用
8
《物理》河北大学电子系 宋登元  出版年:1992
有机半导体材料的研究与器件应用是近年来微电子学和光电子学发展的新领域。有机半导体器件低的成本和相对简单的制备工艺受到了发达国家的高度重视。本文简单分析了有机半导体材料的特点,介绍了有机太阳电池、肖特基二极管、异质结光电探...
关键词:有机半导体 半导体器件 应用  
半导体量子阱激光器(QWL)及其进展
9
《半导体光电》河北大学电子系 宋登元  出版年:1990
由于半导体量子阱结构限制电子和空穴到极薄区域的量子尺寸效应,导致了它具有二维台阶状的态密度。因此,用这种结构制备的量子阱激光器(QWL)具有低的阈值电流密度,窄的谱线宽度,宽的波长调谐范围以及高的调制频率响应知易实现大功...
关键词:半导体 量子阱  激光器 态密度
九十年代微电子学突破方向的展望
10
《半导体技术》河北大学电子系 宋登元  出版年:1992
纳电子学和真空微电子学是九十年代微电子学的两个极有发展前途的新方向。本文概要介绍了纳电子学和真空微电子学发展的状况及其主要器件的工作原理,并介绍了它们的应用领域和发展方向。
关键词:微电子学 纳电子学 真空
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