期刊文章详细信息
电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响 ( EI收录)
Effects of Electron-Irradiation on AC Parameters of Silicon Bipolar Transistors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学电子系,保定071002 [2]天津市技术物理研究所,天津300192
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1992
卷 号：13
期 号：11
起止页码：709-713
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10^(14)cm^(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.
关 键 词：硅 双极晶体管 电子辐照
分 类 号：TN322.8]
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