期刊文章详细信息
硅双极晶体管的低温h_(FE) ( EI收录)
Low Temperature h_(FE) of Silicon Bipolar Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]河北大学电子系,保定071002
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1997
卷 号：18
期 号：6
起止页码：454-459
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：1998073968223)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。
关 键 词：双极晶体管 低温hFE 发射效率 集电区倍增因子
分 类 号：TN322.8]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
