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Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟
Numerical Simulation of Si-SiGe-Si Heterojunction Bipolar Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学电子系,保定071002
年 份：1992
卷 号：12
期 号：4
起止页码：300-305
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10^(17)cm^(-3),基区掺杂浓度为7×10^(18)cm^(-3),SiGe基区中Ge摩尔含量为0.31,模拟得到的最高电流增益为390。数字模拟得到的晶体管特性曲线与实验结果符合良好。
关 键 词：异质结 数字模拟 双极晶体管
分 类 号：TN322.8]
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