期刊文章详细信息
半导体量子阱激光器(QWL)及其进展
Semiconductor Quantum Well Lasers(QWLs)and Their Recent Advances
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北大学电子系,保定071002
年 份：1990
卷 号：11
期 号：4
起止页码：363-369
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：由于半导体量子阱结构限制电子和空穴到极薄区域的量子尺寸效应,导致了它具有二维台阶状的态密度。因此,用这种结构制备的量子阱激光器(QWL)具有低的阈值电流密度,窄的谱线宽度,宽的波长调谐范围以及高的调制频率响应知易实现大功率、短波长可见光输出等优点。本文在描述了这种结构的台阶状态密度分布的基础上,主要介绍了 QWL 主要优异特性和最近的发展水平。最后对今后的发展方向作了预测。
关 键 词：半导体 量子阱 激光器 态密度
分 类 号：TN248.4]
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