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西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 收藏

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研究主题:单晶金刚石    氮化镓    场效应晶体管    场效应    氢    

研究学科:电子信息类    自动化类    

被引量:15H指数:3WOS: 2 EI: 4 北大核心: 6 CSCD: 4

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8 条 记 录,以下是 1-8

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响 ( EI收录)
1
《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 张进成 郑鹏天 董作典 段焕涛 倪金玉 张金凤 郝跃  出版年:2009
国防预研项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防基础科研项目(批准号:A1420060156)资助的课题~~
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结...
关键词:ALGAN/GAN 双异质结构 限域性  寄生沟道  晶体管  
硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究
2
《固体电子学研究与进展》西安电子科技大学微电子学院;南京电子器件研究所 杨士奇 任泽阳 张金风 何琦 苏凯 张进成 郭怀新 郝跃  出版年:2021
国家自然科学基金资助项目(61874080,62004148);微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金项目(6142803180105);新教师基金项目(XJS201101);陕西省自然科学基础研究项目(2020JQ-315)。
在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层...
关键词:金刚石 氮化镓 异质外延  
不同晶面的氢终端单晶金刚石场效应晶体管特性 ( EI收录)
3
《物理学报》西安电子科技大学微电子学院;陕西省石墨烯联合实验室 张金风 徐佳敏 任泽阳 何琦 许晟瑞 张春福 张进成 郝跃  出版年:2020
国家重点研发计划(批准号:2018YFB0406504);国家重点实验室基金(批准号:6142605180102);国家自然科学基金(批准号:61874080);博士后创新人才支持计划(批准号:BX20190263)资助的课题~~
通过微波等离子体化学气相淀积技术生长单晶金刚石并切割得到(110)和(111)晶面金刚石片,以同批器件工艺制备两种晶面上栅长为6μm的氢终端单晶金刚石场效应管,从材料和器件特性两方面对两种晶面金刚石进行对比分析.(110...
关键词:单晶金刚石 (110)晶面  (111)晶面  场效应晶体管
单晶金刚石氢终端场效应晶体管特性 ( EI收录)
4
《物理学报》西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 任泽阳 张金风 张进成 许晟瑞 张春福 全汝岱 郝跃  出版年:2017
基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件的饱和漏电流在栅压为-6 V时达到了96 mA/mm,但是在-6 V时栅泄漏电流过大.在-3.5...
关键词:金刚石 氢终端  场效应晶体管
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 ( EI收录)
5
《发光学报》北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室;西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 王新强 黎大兵 刘斌 孙钱 张进成  出版年:2016
国家重点研发计划(2016YFB0400100)资助项目
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界...
关键词:氮化镓 大失配  强极化  生长动力学 载流子调控  
零偏4H-SiC衬底的同质外延方法
6
《微纳电子技术》西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室;国网智能电网研究院 孙哲 吕红亮 王悦湖 贾仁需 汤晓燕 张玉明 张义门 杨霏 钮应喜  出版年:2014
国家自然科学基金资助项目(61006008;61274079);预先研究项目(51308030115);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-004)
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜...
关键词:零偏4H—SiC  同质外延  基面位错  原位刻蚀  化学气相沉积(CVD)  
基于微波等离子体化学气相淀积方法的多片单晶金刚石的同时扩大生长研究
7
第十八届全国晶体生长与材料学术会议暨第一届全国晶体生长暑期学校 2018任泽阳 张金风 张进成 苏凯 郝跃  出版年:2018
本文报道了基于微波等离子体化学气相淀积设备,实现了七片单晶金刚石的同时扩大生长,并且有效解决了生长过程中在金刚石边缘出现多晶的问题。在生长过程中晶种彼此分开放置,并且采用了“pocket”型的衬底托,而且在整个生长周期内...
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究
8
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 2012Fanna Meng 孟凡娜 Jincheng Zhang 张进成 Hao Zhou 周昊 Peishui Cui 崔培水 Huijuan Wen 温慧娟 Yue Hao 郝跃  出版年:2012
通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高...
关键词:半导体材料 双异质结 二维电子气 生长特性  
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