- 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响 ( EI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 张进成 郑鹏天 董作典 段焕涛 倪金玉 张金凤 郝跃 出版年:2009
- 关键词:ALGAN/GAN 双异质结构 限域性 寄生沟道 晶体管
- 硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究
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- 《固体电子学研究与进展》西安电子科技大学微电子学院;南京电子器件研究所 杨士奇 任泽阳 张金风 何琦 苏凯 张进成 郭怀新 郝跃 出版年:2021
- 关键词:金刚石 氮化镓 异质外延
- 不同晶面的氢终端单晶金刚石场效应晶体管特性 ( EI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院;陕西省石墨烯联合实验室 张金风 徐佳敏 任泽阳 何琦 许晟瑞 张春福 张进成 郝跃 出版年:2020
- 关键词:单晶金刚石 (110)晶面 (111)晶面 场效应晶体管
- 单晶金刚石氢终端场效应晶体管特性 ( EI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 任泽阳 张金风 张进成 许晟瑞 张春福 全汝岱 郝跃 出版年:2017
- 关键词:金刚石 氢终端 场效应晶体管
- 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 ( EI收录)
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- 《发光学报》北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室;西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 王新强 黎大兵 刘斌 孙钱 张进成 出版年:2016
- 关键词:氮化镓 大失配 强极化 生长动力学 载流子调控
- 零偏4H-SiC衬底的同质外延方法
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- 《微纳电子技术》西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室;国网智能电网研究院 孙哲 吕红亮 王悦湖 贾仁需 汤晓燕 张玉明 张义门 杨霏 钮应喜 出版年:2014
- 关键词:零偏4H—SiC 同质外延 基面位错 原位刻蚀 化学气相沉积(CVD)
- 基于微波等离子体化学气相淀积方法的多片单晶金刚石的同时扩大生长研究
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- 第十八届全国晶体生长与材料学术会议暨第一届全国晶体生长暑期学校 2018任泽阳 张金风 张进成 苏凯 郝跃 出版年:2018
- AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究
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- 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 2012Fanna Meng 孟凡娜 Jincheng Zhang 张进成 Hao Zhou 周昊 Peishui Cui 崔培水 Huijuan Wen 温慧娟 Yue Hao 郝跃 出版年:2012
- 关键词:半导体材料 双异质结 二维电子气 生长特性