文献类型：期刊文章

作　　者：孙哲[1] 吕红亮[1] 王悦湖[1] 贾仁需[1] 汤晓燕[1] 张玉明[1] 张义门[1] 杨霏[2] 钮应喜[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安710071 [2]国网智能电网研究院,北京100192

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61006008;61274079);预先研究项目(51308030115);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-004)

年　　份：2014

卷　　号：51

期　　号：1

起止页码：48-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析。测量结果表明,4H-SiC占整个外延表面积的99%以上,此外,该工艺消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错,提高了外延层的质量。同时对零偏4H-SiC衬底的同质外延的工艺过程和理论进行了研究和讨论,实验发现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数、碳硅原子比以及生长温度对于维持外延层晶型、避免3C-SiC多型的产生具有重要影响。

关 键 词：零偏4H—SiC  同质外延  基面位错  原位刻蚀  化学气相沉积(CVD)  

分 类 号：TN304.054] TN304.24