文献类型：期刊文章

作　　者：杨士奇[1] 任泽阳[1,2] 张金风[1] 何琦[1] 苏凯[1] 张进成[1] 郭怀新[2] 郝跃[1]

YANG Shiqi;REN Zeyang;ZHANG Jinfeng;HE Qi;SU Kai;ZHANG Jincheng;GUO Huaixin;HAO Yue(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology,School of Microelectronics,Xidi-an University,Xi'an,710071,CHN;Nanjing Electronic Devices Institute,Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Labo-ratory,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安710071 [2]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874080,62004148);微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金项目(6142803180105);新教师基金项目(XJS201101);陕西省自然科学基础研究项目(2020JQ-315)。

年　　份：2021

期　　号：1

起止页码：18-23

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。

关 键 词：金刚石 氮化镓 异质外延  

分 类 号：TN386] TN325.3