文献类型：会议

作　　者：Fanna Meng 孟凡娜 Jincheng Zhang 张进成 Hao Zhou 周昊 Peishui Cui 崔培水 Huijuan Wen 温慧娟 Yue Hao 郝跃

作者单位：State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronic 西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议文献：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议论文集

会议名称：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议日期：20121107

会议地点：开封

主办单位：中国电子学会

出版日期：20121107

语　　种：中文

摘　　要：通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的结晶质量和电学特性,文中采用AlGaN和GaN相结合作为缓冲层,即先生长700nm GaN缓冲层再生长600rim Al0.07Ga0.93N缓冲层。高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜测试结果表明,材料的结晶质量和表面形貌均得到了显著的提高。同时,通过室温霍尔和方阻测试得出,双异质结材料的二维电子气迁移率达到1821cm2/Vs,方块电阻平均值338.5Ω/□,方阻均一性0.85％。最后,利用变温霍尔测试,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料的二维电子气密度和迁移率随温度变化进行了研究。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结具有更好的高温特性。

关 键 词：半导体材料 双异质结 二维电子气 生长特性  

分 类 号：TN304.2]