文献类型：期刊文章

作　　者：王新强[1] 黎大兵[2] 刘斌[3] 孙钱[4] 张进成[5]

WANG Xin-qiang LI Da-bing LIU Bin SUN Qian ZHANG Jin-cheng(State Key Laboratory of Artifwial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology, School of Electronic Science and Engineering, Nangjing University, Nanjing 210093, China Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Fundamental Science for National Defense on Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xi＇an 710071, China)

机构地区：[1]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 [2]发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [3]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093 [4]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123 [5]西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安710071

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0400100)资助项目

年　　份：2016

卷　　号：37

期　　号：11

起止页码：1305-1309

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20165103145432)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。

关 键 词：氮化镓 大失配  强极化  生长动力学 载流子调控  

分 类 号：O469] O552.6]