文献类型：期刊文章

作　　者：张进成[1] 郑鹏天[1] 董作典[1] 段焕涛[1] 倪金玉[1] 张金凤[1] 郝跃[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国防预研项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国防基础科研项目(批准号:A1420060156)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：5

起止页码：3409-3415

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000266384200083)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.

关 键 词：ALGAN/GAN 双异质结构 限域性  寄生沟道  晶体管  

分 类 号：O471]