文献类型：期刊文章

作　　者：张金风[1] 徐佳敏[1] 任泽阳[1] 何琦[1] 许晟瑞[1] 张春福[1] 张进成[1,2] 郝跃[1]

Zhang Jin-Feng;Xu Jia-Min;Ren Ze-Yang;He Qi;Xu Sheng-Rui;Zhang Chun-Fu;Zhang Jin-Cheng;Hao Yue(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology,School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,China;Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene,Xi’an 710071,China)

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安710071 [2]陕西省石墨烯联合实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2018YFB0406504);国家重点实验室基金(批准号:6142605180102);国家自然科学基金(批准号:61874080);博士后创新人才支持计划(批准号:BX20190263)资助的课题~~

年　　份：2020

卷　　号：69

期　　号：2

起止页码：248-255

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过微波等离子体化学气相淀积技术生长单晶金刚石并切割得到(110)和(111)晶面金刚石片,以同批器件工艺制备两种晶面上栅长为6μm的氢终端单晶金刚石场效应管,从材料和器件特性两方面对两种晶面金刚石进行对比分析.(110)面和(111)面金刚石的表面形貌在氢终端处理后显著不同,光学性质则彼此相似.VGS=–4 V时,(111)金刚石器件获得的最大饱和电流为80.41 m A/mm,约为(110)金刚石器件的1.4倍;其导通电阻为48.51 W·mm,只有(110)金刚石器件导通电阻的67%.通过对器件电容-电压特性曲线的分析得到,(111)金刚石器件沟道中最大载流子密度与(110)金刚石器件差异不大.分析认为,(111)金刚石器件获得更高饱和电流和更低导通电阻,应归因于较低的方阻.

关 键 词：单晶金刚石 (110)晶面  (111)晶面  场效应晶体管

分 类 号：TN386]