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东南大学薄膜研究所 收藏

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研究主题:电致变色    氧化镍    氧化镍薄膜    反应溅射    电子束蒸发    

研究学科:电子信息类    电气类    建筑类    

被引量:162H指数:7EI: 6 北大核心: 13 CSCD: 9

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33 条 记 录,以下是 1-10

反应磁控溅射的进展
1
《真空》上海交通大学微纳米科学技术研究院;东南大学薄膜研究所 茅昕辉 陈国平 蔡炳初  出版年:2001
反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍...
关键词:反应磁控溅射 中频溅射  脉冲溅射  化合物薄膜  迟滞效应  制备  打火 抑制途径  靶中毒  
铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究
2
《真空科学与技术》东南大学薄膜研究所 茅昕辉 刘云峰 张浩康 陈国平  出版年:2000
采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系 ,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
关键词:迟滞回线 反应溅射 脉冲溅射  氧化铝薄膜
掺杂氧化钨薄膜的电致变色特性
3
《真空》东南大学薄膜研究所 李建军 陈国平 刘云峰 黄蕙芬  出版年:2001
掺杂氧化钼对氧化钨薄膜的电致变色特性有一定的影响。本文介绍了用电子束蒸发制备不同 Mo O3掺杂比例的氧化钨膜。对其着色态与漂白态的光学特性以及循环伏安特性进行了实验研究。通过对循环伏安曲线的分析 。
关键词:电致变色 氧化钨薄膜  氧化钼掺杂  电致变色材料 循环伏安法 电子束蒸发
电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究 ( EI收录)
4
《太阳能学报》东南大学薄膜研究所 陈国平 黄惠芬 陈公乃 李建军 傅小妃 刘云峰  出版年:1995
报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电致变色特性和开关寿命,给出了电极电压和电解液浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。
关键词:电致变色 氧化钨薄膜  电子束蒸发
电致变色灵巧窗的设计与研制 ( EI收录)
5
《太阳能学报》东南大学薄膜研究所 张旭苹  出版年:1997
从电致变色器件的工作原理出发,对电致变色灵巧窗的基本结构和各层材料的作用进行分析和讨论,对组成灵巧窗的各层薄膜材料进行研究和制备,并研制了性能优良的ITO/WO3/LiClO4-PC/NiO/ITO以及ITO/NiO/L...
关键词:电致变色 灵巧窗  氧化钨 氧化镍 薄膜  太阳能
磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究
6
《真空科学与技术》东南大学薄膜研究所 张随新 陈国平  出版年:1995
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应...
关键词:反应溅射 氧化锡膜  氧流量 薄膜  
用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性
7
《光电子技术》东南大学薄膜研究所 茅昕辉 张浩康 陈国平  出版年:1998
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜,用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明,所沉积的Al2O3薄膜满足LCD器件阻挡层的要求。
关键词:射频溅射 反应溅射 LCD 阻挡层 液晶显示器件
直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究
8
《光电子技术》东南大学薄膜研究所 茅昕辉 陈国平 陈公乃 张随新 张旭苹  出版年:1995
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。
关键词:ITO膜 透明导电膜 磁控反应溅射
我国真空与薄膜产业发展的新机遇
9
《真空》东南大学薄膜研究所 陈国平 茅昕辉  出版年:1998
本文简要介绍了平板显示器件(FPD)近年来的飞速发展,论述了FPD对薄膜的要求和常用于FPD生产的三种类型的薄膜沉积设备,指出这是我国真空与薄膜产业发展的一次新的极好机遇。
关键词:薄膜  真空设备 平板显示器件 产业化  FPD
电致变色智能玻璃研究的现状
10
《新型建筑材料》东南大学薄膜研究所 张旭苹 陈国平  出版年:1995
对太阳能具有动态调节功能的电致变色智能玻璃正引起世界各国的极大关注。本文介绍电致变色智能玻璃目前的研究进展、应用前景和尚待解决的问题。详细讨论组成电致变色智能玻璃窗的各层薄膜材料──电致变色膜、透明导电膜、对电极膜及离子...
关键词:玻璃  智能玻璃 电致变色 离子导体
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