期刊文章详细信息
反应磁控溅射的进展
Advance in reactive magnetron sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海200030 [2]东南大学薄膜研究所,江苏南京210096
年 份：2001
卷 号：38
期 号：4
起止页码：1-7
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍了中频溅射在减反膜。
关 键 词：反应磁控溅射 中频溅射 脉冲溅射 化合物薄膜 迟滞效应 制备 打火 抑制途径 靶中毒
分 类 号：TB43]
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